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1. Identificação
Tipo de ReferênciaCapítulo de Livro (Book Section)
Siteplutao.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W/3RANFEF
Repositóriosid.inpe.br/plutao/2018/06.18.15.25.52   (acesso restrito)
Última Atualização2018:06.20.12.07.16 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/plutao/2018/06.18.15.25.53
Última Atualização dos Metadados2024:01.03.12.44.43 (UTC) simone
DOI10.5772/intechopen.70220
ISBN9789535138891
Rótulolattes: 8086526958304657 2 FornariForRapAbrTra:2018:MoCaSi
Chave de CitaçãoFornariForRapAbrTra:2018:MoCaSi
TítuloMonte Carlo Simulation of Epitaxial Growth
Ano2018
Data de Acesso17 maio 2024
Tipo SecundárioPRE LI
Número de Arquivos1
Tamanho4702 KiB
2. Contextualização
Autor1 Fornari, Celso Israel
2 Fornari, Gabriel
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Abramof, Eduardo
5 Travelho, Jerônimo dos Santos
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
4 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
5 8JMKD3MGP5W/3C9JHE7
Grupo1 CMS-ETES-SESPG-INPE-MCTIC-GOV-BR
2 CAP-COMP-SESPG-INPE-MCTIC-GOV-BR
3 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
4 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 celso.fornari@inpe.br
2 gabriel.fornari@inpe.br
3 paulo.rappl@inpe.br
4 eduardo.abramof@inpe.br
EditorZhong, M.
Título do LivroEpitaxy
Editora (Publisher)InTech
Páginas113-129
Histórico (UTC)2018-06-18 15:25:53 :: lattes -> administrator ::
2018-06-19 11:34:28 :: administrator -> lattes :: 2018
2018-06-20 12:07:17 :: lattes -> administrator :: 2018
2019-01-14 17:09:17 :: administrator -> simone :: 2018
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveMonte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
lattice-matched substrates
ResumoA numerical Monte Carlo (MC) model is described in detail to simulate epitaxial growth. This model allows the formation of structural defects, like substitutional defects and vacancies, and desorption of adsorbed atoms on the surface. The latter feature supports the study of epitaxial growth at very high kinetic regime. The model proposed here is applied to simulate the homoepitaxial growth of Si. The results obtained fit well to the experimental reports on (0 0 1) silicon homoepitaxy. The easy implementation of a large number of microscopic processes and the three-dimensional spatial information during the film growth suggests that the model can be applied to simulate the growth of binary, ternary, or more compounds and even the growth of superlattices and heterostructures.
ÁreaFISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Idiomapt
Arquivo Alvofornari_monte carlo.pdf
Grupo de Usuárioslattes
self-uploading-INPE-MCTI-GOV-BR
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPCW/3F2PHGS
8JMKD3MGPCW/3F358GL
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.50 2
sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 1
sid.inpe.br/bibdigital/2013/10.12.22.16 1
URL (dados não confiáveis)http://www.intechopen.com/books/epitaxy/monte-carlo-simulation-of-epitaxial-growth
Acervo Hospedeirodpi.inpe.br/plutao@80/2008/08.19.15.01
6. Notas
Campos Vaziosarchivingpolicy archivist callnumber city copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination e-mailaddress edition format issn lineage mark mirrorrepository nextedition notes numberofvolumes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark serieseditor seriestitle session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype translator volume
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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